Física de la BUAP desarrolla nuevos materiales

Puebla, Pue. Tras realizar investigaciones con silicio poroso (SiP), Antonio Méndez Blas y Estela Calixto, investigadores del Instituto de Física “Ing. Luis Rivera Terrazas” de la BUAP (IFUAP), descubrieron que el confinamiento a nivel nanométrico es posible en otros semiconductores e incluso en dieléctricos. Por tal motivo, diseñan nuevos procesos basados en la técnica de electrodepósito para desarrollar materiales que contribuyan a mejorar la tecnología electrónica actual y basarla en la fotónica; es decir, en la manipulación de la luz por medio de materiales de diseño específico.

La investigación consiste en depositar sobre un sustrato rígido o flexible un material con propiedades ópticas, por medio de la técnica de electrodepósito. Una vez realizado, se procede a nanoestructurarlo. Este proceso puede seguir dos vías: por un lado es posible realizar un ataque electroquímico que elimine parte del material y, por otro, puede utilizarse el mismo SiP como plantilla o “molde nanométrico” durante el depósito. En cualquiera de las dos posibilidades, la idea es mejorar las propiedades ópticas del material, como son la de transmisión/reflexión o emisión de luz.

 “En el caso de los semiconductores, el confinamiento a escala nanométrica se asocia a la sintonización del bangap electrónico, parámetro fundamental para aumentar la eficiencia de conversión de energía en las celdas solares, por citar un ejemplo”, precisó el doctor Méndez Blas.

La técnica de electrodepósito es un proceso electroquímico que permite la preparación de depósitos sólidos en película delgada, sobre la superficie de materiales conductores o sustrato, que en este caso se trata de óxidos conductores transparentes como el ITO o FTO. También se pueden utilizar metales como plata, aluminio o incluso acero modificado; además de sustratos flexibles como poliamida conductora.

 

           

 

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